[发明专利]鳍结构表面氧化层均匀化的方法在审
| 申请号： | 202111390525.7 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114121672A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾浩 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 鳍结构表面氧化层均匀化的方法，包含：S1：在鳍结构的中间生成的浅道隔离层被第一次化学机械抛光后第一硬掩模层被暴露出来后，继续对浅道隔离层进行凹陷去除，且将第一硬掩模层的底部部分的去除形成凹槽；S2：对凹槽进行侧面氧化，凹槽对应鳍结构的顶面‑侧面转角处比其他部分更容易氧化。据此，对凹槽先进行侧面氧化，由于有顶面上覆盖有第一硬掩模层，凹槽对应的部分被氧化，从而抵消了由于在不同晶面处具有不同的氧化速率效应导致的鳍的转角处的厚度小于顶面的厚度的缺陷，从而使得最终生成的表面氧化层基本相同的（在鳍结构顶面、转角、侧面都相同），氧化层的均匀性提高，器件的可靠性提高，降低了漏电的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 表面 氧化 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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