[发明专利]等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性改善装置在审
申请号: | 202111392163.5 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114045471A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 白杨;施国政;郁元卫;沈雁飞;徐乾坤;朱健 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/455 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 狄荣君 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性改善装置。根据量测仪器获得的圆片介质厚度分布图,结合八寸设备生长六寸、八寸圆片的实际情况,通过在八寸分气盘内侧凹槽内增加挡气圆环,腔体上盖出气口零件中心开孔的方式,尽量使气体收敛于六寸圆片区域,减小圆片边缘的气体流量,从而使长膜厚度均匀性改善。本发明避免了因长膜均匀性不合格导致的圆片报废风险,该方法可为改善等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性提供一种解决方案。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 增强 化学 气相淀积 设备 薄膜 均匀 改善 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111392163.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的