[发明专利]一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111395632.9 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN116144015A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 方书农;王溯;耿志月;崔中越 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司 |
| 主分类号： | C08G67/04 | 分类号： | C08G67/04;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 陈卓 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种193nm干法光刻胶用添加剂及其制备方法和应用。具体公开了一种如式I所示的添加剂在光刻胶中的应用；所述光刻胶包括如下原料：如式I所示的添加剂、如式(L)所示的树脂、光致产酸剂和溶剂，所述添加剂的重均分子量为1000～3000；所述添加剂的重均分子量/数均分子量比值为1～5。本发明的应用可以使光刻胶形成具有优异敏感性和高分辨率的光刻胶膜微图案。 |
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| 搜索关键词： | 一种 193 nm 光刻 添加剂 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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