[发明专利]一种发光芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111398152.8 申请日: 2021-11-19
公开(公告)号: CN114188452B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 戴广超;马非凡;曹进;康志杰;王子川 申请(专利权)人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/42;H01L33/46
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 李发兵
地址: 402760 重庆市璧*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种发光芯片及其制备方法,该发光芯片包括:外延层;以及设置于外延层上的电极结构;电极结构中的至少一个包括:设置于外延层上的反射层;至少包覆反射层侧表面且与外延层接触的保护层,保护层与外延层之间的粘附性大于反射层与外延层之间的粘附性;设置于反射层上且远离外延层的一侧的电子传输层;设置于电子传输层上且远离外延层的一侧的电子阻挡层;该电极结构通过取消了设置于外延层和反射层之间的黏附层,提升了电极结构的反射率,从而提升了包括该电极结构的发光芯片的芯片亮度,还通过设置保护层与半导体层接触,提升了电极结构与外延层之间的粘附性,从而提升发光芯片的可靠性。
搜索关键词: 一种 发光 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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