[发明专利]二极管型光电传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111398396.6 申请日: 2021-11-19
公开(公告)号: CN114050219A 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 丁士进;张婷婷;吴小晗;张卫 申请(专利权)人: 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;H01L51/44
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种二极管型光电传感器,包括基底、钙钛矿薄膜层、有机物半导体层和电极;所述钙钛矿薄膜层设置于所述基底的部分上表面,所述钙钛矿薄膜层采用化学气相蒸镀法制备而成,且所述钙钛矿薄膜层的材料包括卤化铅和卤化铯,所述卤化铅和卤化铯的摩尔比为1:1;所述有机物半导体层的部分设置于所述基底的上表面,所述有机物半导体层的剩余部分设置于所述钙钛矿薄膜层的上表面;所述电极包括正极和负极,使得解决了现有技术中的二极管型光电传感器制备工艺复杂且容易漏电,暗电流较大,只能实现对光的强度检测而不能获得光的颜色信息的问题。本发明还提供一种二极管型光电传感器的制备方法。
搜索关键词: 二极管 光电 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司,未经复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111398396.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top