[发明专利]一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111399276.8 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN114171637A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 童正夫;韩长存;刘志锋;方黎;柳阳;王文君;谭保华 申请(专利权)人: 湖北工业大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0352;C23C14/06;C23C14/18
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 兰岚
地址: 430068 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括以下步骤:首先,将Mo基底置于真空条件下,射频溅射ZnS,形成第一溅射层;其次,在真空条件下,直流溅射Cu,在第一溅射层表面形成第二溅射层;再次,在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶;最后,在S蒸气下进行退火处理。其中,修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化,减少MoS2的厚度;修饰层的第二溅射层以Cu作为直流溅射的原料,更利于上层CZTS前驱体结晶,减少CZTS的晶界缺陷。此外,该修饰层能够在上层的CZTS薄膜及其下层的Mo电极之间构成的重p+型层,改善CZTS层与Mo背电极接触侧的载流子传输性能,进而提高太阳能电池器件的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 具有 修饰 czts 薄膜 太阳能电池 电极 制备 方法
【主权项】:
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