[发明专利]一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法在审
申请号: | 202111399276.8 | 申请日: | 2021-11-24 |
公开(公告)号: | CN114171637A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 童正夫;韩长存;刘志锋;方黎;柳阳;王文君;谭保华 | 申请(专利权)人: | 湖北工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0352;C23C14/06;C23C14/18 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 兰岚 |
地址: | 430068 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明提供一种具有修饰层的CZTS薄膜太阳能电池背电极的制备方法,包括以下步骤:首先,将Mo基底置于真空条件下,射频溅射ZnS,形成第一溅射层;其次,在真空条件下,直流溅射Cu,在第一溅射层表面形成第二溅射层;再次,在第二溅射层的表面旋涂CZTS前驱体溶胶;最后,在S蒸气下进行退火处理。其中,修饰层的第一溅射层能够作为S蒸气阻挡层抑制Mo层的硫化,减少MoS |
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搜索关键词: | 一种 具有 修饰 czts 薄膜 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的