[发明专利]高基频晶片慢腐蚀工艺在审
| 申请号： | 202111407282.3 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114068801A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 申红卫;李健;琚永辉;翟彦飞 | 申请（专利权）人： | 济源石晶光电频率技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;C30B33/10 |
| 代理公司： | 河南商盾云专利代理事务所(特殊普通合伙) 41199 | 代理人： | 黄莉美 |
| 地址： | 454650*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及高基频晶片技术领域，公开了高基频晶片慢腐蚀工艺，先对需要处理的高基频晶片进行除油脂浸泡，然后利用酸洗工艺除去表面的锈蚀产物和氧化膜，通过使用慢腐蚀溶液能够对经过打磨的高基频晶片进行慢腐蚀工艺，有效的降低了高基频晶片的厚度，并在加工的时候能够有效的防止高基频晶片发生破碎，同时能够保证进行精腐蚀，避免腐蚀过片和腐蚀不均的问题，通过将高基频晶片放入慢腐蚀溶液中，氟化铵NH3F和氢氟酸HF按照1:1比例组成40％混合溶液，每分钟频率上升130K左右，采用这种慢腐蚀工艺将晶片从60M(厚度0.027mm)腐蚀到96M(厚度0.017mm)需要4‑6小时。可明显改善晶片表面粗糙度，和一致性。从而改善晶片的各项电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基频 晶片 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
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