[发明专利]过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜在审

专利信息
申请号: 202111410376.6 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114122146A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 姚建可;唐杰;汤皎宁;郑逸 申请(专利权)人: 深圳戴尔蒙德科技有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/24;H01L29/43;H01L29/49;H01L21/336;C23C14/08;C23C14/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市福田区福保街道*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了过滤阴极电弧法制备高性能BaSnO3基透明导电薄膜,包括以下步骤:在玻璃或塑料基底制备多晶BaSnO3薄膜,可以作为薄膜晶体管的绝缘层应用、在玻璃或塑料基底制备多晶BaLaSnOx薄膜,可以作为薄膜晶体管的有源层和电极层应用、在玻璃或塑料基底制备多晶BaGdSnOx薄膜,可以作为薄膜晶体管的有源层和电极层应用、制备BaSnO3、BaLaSnOx、BaGdSnOx多晶薄膜,可以作为薄膜晶体管的有源层应用。本发明属于显示材料技术领域,有益效果是:过滤阴极电弧沉积法的高沉积速率,结合多晶Ag薄膜的结晶诱导,获得高结晶质量的BTO、BLTO、BGdTO薄膜,BTO薄膜可作为TFTs的绝缘层,BLTO、BGdTO薄膜可作为TFTs的电极层和有源层,结合光刻、刻蚀工艺,用FCAD法制备得到高性能的BTO基TFTs。
搜索关键词: 过滤 阴极 电弧 法制 性能 basno3 透明 导电 薄膜
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳戴尔蒙德科技有限公司,未经深圳戴尔蒙德科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111410376.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top