[发明专利]用于水蒸发产电的二维金属氧化物单层纳米片在审
| 申请号： | 202111415290.2 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114204849A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 熊攀;朱俊武;刘超;刘至航;陈昭天;孙敬文;付永胜;吴赟炎;刘一凡;黄洪澜;樊金博 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H02N3/00 | 分类号： | H02N3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于水蒸发产电技术领域，涉及一种用于水蒸发产电的二维金属氧化物单层纳米片，其步骤如下：将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片涂覆在设置电极的支撑基底上作为产电器件，用于在水中蒸发产电。本发明首次实现将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片作为水蒸发产电的主体材料，具有非常优异的开路电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蒸发 二维 金属 氧化物 单层 纳米 | ||
【主权项】：
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