[发明专利]一种Embedded Flash误写保护方法有效
| 申请号： | 202111415769.6 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113836600B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王立华;潘明方;熊海峰 | 申请（专利权）人： | 上海泰矽微电子有限公司;南京泰矽微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/79 | 分类号： | G06F21/79 |
| 代理公司： | 上海双诚知识产权代理事务所(普通合伙) 31423 | 代理人： | 方玉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Embedded Flash误写保护方法，所述方法步骤包括：Embedded Flash控制器收到写操作指令后，缓存所述写操作的地址和数据，并读取所述地址的数据；判断读取的数据是否为32’hFFFF_FFFF，如果是，则全区域能够执行写操作；如果不是，则进一步判断对word中的每一个byte的值是否有8’hFF；如果值有8’hFF，则所述word能够执行写操作；如果值没有8’hFF，则整个word不能执行写操作，本发明提高了Embedded Flash误写保护的保护范围，实现了对Flash全区域的误写保护，保护颗粒度小，减少误写概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 embedded flash 写保护 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海泰矽微电子有限公司;南京泰矽微电子有限公司，未经上海泰矽微电子有限公司;南京泰矽微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111415769.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
