[发明专利]一种单多晶EEPROM开关单元结构

摘要

本发明公开一种单多晶EEPROM开关单元结构，属于微电子器件领域，包括p型Si衬底、浅槽隔离STI、栅氧化层、多晶层和衬垫。p型Si衬底上形成有高压p阱和n阱；若干个浅槽隔离STI将p型Si衬底的表面分成三部分区域：开关管区域、编程管区域和控制栅区域；编程管区域的表面通过n型离子掺杂形成有隧穿注入层；栅氧化层位于p型Si衬底的表面；多晶层淀积于栅氧化层的表面，多晶层覆盖开关管区域、编程管区域、控制栅区域以及浅槽隔离STI；衬垫位于多晶层的两侧，通过衬垫进行栅自对准工艺在p型Si衬底上形成有N+离子注入层和P+离子注入层。本发明可实现重复且精确的修调功能；具有修调灵活、修调成品率高、工艺成本低且易实现工艺移植等突出优点。