[发明专利]金属栅制程下伪栅极的去除方法在审
| 申请号： | 202111417812.2 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114121676A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 夏禹 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾浩 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在硅衬底上形成有伪栅极，伪栅极上依次设有氮化硅硬掩模层、氧化物硬掩模层，在两侧从内到外依次设有第一侧墙、第二侧墙、第三侧墙；本发明提供了一种金属栅制程下伪栅极的去除方法，包含：S1：去除第三侧墙；S2：沉积接触孔阻挡层；S3：沉积第一氧化物内层电介质层、氮化硅内层电介质层、第二氧化物内层电介质层，形成氧化物‑氮化物‑氧化物三层内层电介质层；S4：采用机械化学抛光工艺，将三层内层电介质层的顶部磨平；S5：刻蚀，上表面平整地至氮化硅硬掩模层的顶部；S6：去除氮化硅硬掩模层，去除伪栅极。据此，能够在同一高度去除伪栅极，且能够保证该高度足够，不会产生氧化物层凹陷等缺陷，增大了该制程的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅制程下伪 栅极 去除 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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