[发明专利]提升原料气体量效率的方法在审
| 申请号： | 202111420506.4 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114171434A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 徐耀中;杨敏;陈化冰;沈斌 | 申请（专利权）人： | 江苏南大光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 王玉国 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及提升原料气体量效率的方法，将与储存容器中源接触的载气先进行预加热，使储存容器内热平衡及源的蒸气压稳定；可采用内加热方式或外加热方式对载气先进行预加热，内加热方式，是在储存容器内设置载气预热管，载气预热管的进口与载气进气管连通，出口与储存源的腔室连通，储存容器置于热源中；外加热方式，是在储存容器外设置载气预热管，载气预热管的进口与载气管路连通，出口与插底管连通，插底管插入储存容器内，载气预热管设有加热单元。通过对载气进行有效的预加热，减少常温气体通过原料时对原料造成的温度降低，避免气体载料量不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 原料 体量 效率 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
