[发明专利]一种碳化硅腐蚀设备在审
| 申请号： | 202111420808.1 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114284188A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;李佳君;杨德仁;罗昊 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/04;H01L21/67;B01D5/00;B01F33/40 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 盛影影 |
| 地址： | 310012 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅腐蚀设备，涉及腐蚀设备技术领域，包括：炉体；腐蚀室，腐蚀室设于炉体内；转移室，转移室设于腐蚀室上方，转移室包括炉盖和隔板，炉盖设于所述炉体上，炉盖侧壁上设有进样门，隔板滑动设于所述转移室与腐蚀室相连通之处，隔板用于转移室与腐蚀室之间的连通与隔开；旋转样品机构，旋转样品机构活动设于转移室内；样品承载架，样品承载架设于腐蚀室内，样品承载架与旋转样品机构相连接，旋转样品机构用于带动样品承载架在腐蚀室和转移室之间做上下移动。本申请的碳化硅腐蚀设备可以有效避免外部环境对腐蚀剂成分和温度的影响，且有效防止蒸汽外泄对操作人员造成伤害。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 腐蚀 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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