[发明专利]具有高功率密度的碳化硅模块在审
| 申请号： | 202111422307.7 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN115706098A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李雯钰;毛赛君 | 申请（专利权）人： | 忱芯电子（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/423;H02M1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电力电子技术领域，公开了具有高功率密度的碳化硅模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于电路铜层上的半导体功率电子元件；半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；上桥功率芯片组包括八个并联设置的半导体功率芯片，下桥功率芯片组包括八个并联设置的半导体功率芯片。上桥功率芯片组和下桥功率芯片组分别通过八个半导体功率芯片并联设置，该对称布局方式有利于保证各并联芯片换流路径杂散电感参数分布保持一致，以实现良好的均流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 功率密度 碳化硅 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于忱芯电子（苏州）有限公司，未经忱芯电子（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111422307.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多芯片并联大功率碳化硅模块
- 下一篇：显示设备和内容接力方法
- 同类专利
- 专利分类
