[发明专利]高阻硅外延片生长方法及生长设备有效
| 申请号： | 202111423875.9 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114395797B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王群;龚逸品;茅艳琳;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/08;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，属于半导体器件制备技术领域。先对高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，F等离子体对高阻硅衬底的表面进行处理，一方面F等离子体不易渗入高阻硅衬底中出现高阻硅衬底电性出现问题的情况；另一方面F等离子体可以增强高阻硅衬底表面的电负性。在后续N等离子体处理的过程中，N等离子体处理与F等离子体处理在高阻硅衬底的表面可以形成非常致密且绝缘的保护层。有效避免了后续生长的AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体中Al原子或Ga原子混合或者掺杂进高阻硅衬底中，保证了高阻硅衬底的绝缘状态，减少了高阻硅衬底的寄生电容区，降低了射频器件在应用中引入的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 高阻硅 外延 生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
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