[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202111426583.0 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114583922A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 羽生洋;山本晃央 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/082
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置。如果在半导体开关元件(10a)的接通期间设置高耐压开关(120)的接通期间,则检测电路(110)将由多个电阻元件(R1、R2)对端子间电压(Vce)进行分压得到的电压输出至规定的节点(N1)。电压比较电路基于规定的节点(N1)的电压与规定的直流电压(Vt)之间的比较而输出表示端子间电压是否比预先确定的判定电压大的检测信号。高耐压开关(120)具有在断开期间将高电位(VDD)以及低电位(GND)的电位差切断的耐压。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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