[发明专利]一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111432526.3 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN114150206A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 袁悦;孙钰涵;王诗维;程龙;吕广宏 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C23C16/08;C22C1/02;G21B1/11 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料及其制备方法属于核聚变能源应用领域。所述的钨基柱状晶高熵合金，具有(001)取向的柱状晶粒，晶粒尺寸为10‑70μm。各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 20～35％，Ta 10～25％，Cr 10～25％，V 10～20％，Ti 5～20％，Y 5～20％。本发明所述钨基柱状晶高熵合金致密度约可达99％以上，并且纯度也超过99.9％，柱状晶尺寸可以控制在10‑70μm，能够显著降低辐照后材料中的燃料滞留。本发明所述的钨基柱状晶高熵合金，由于高熵效应，经辐照后材料内部的间隙子和空位的迁移能更为接近，导致二者的复合率更高，可以显著提升材料抗中子辐照能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基柱 状晶高熵 合金 面对 等离子体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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