[发明专利]一种集成LED的光增强碳化硅功率器件在审
| 申请号： | 202111437948.X | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114242709A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张峰;张国良;邱宇峰;张荣 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L29/06;H01L29/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种集成LED的光增强碳化硅功率器件，涉及碳化硅功率半导体。由多个元胞并联而成，各元胞结构包括：P型掺杂集电区，位于P型掺杂集电区上方的N型掺杂场终止层，位于N型掺杂场终止层上方的N型掺杂漂移区，位于N型漂移区上方的P型掺杂的阱区，位于P型掺杂的阱区内部的N型掺杂的源区和P型掺杂的基区，位于N型漂移区和P型掺杂的阱区上方的氧化层，位于氧化层上方的栅极电极；集成的LED位于JFET区域的上方且在栅极电极的内部；发射极电极位于N型掺杂的源区和P型掺杂的基区上方；集电极位于P型掺杂集电区下方。在顶部栅极集成LED，利用LED发射出的光使JFET区域产生电子‑空穴对，降低JFET区域与漂移区的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 led 增强 碳化硅 功率 器件 | ||
【主权项】：
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