[发明专利]一种沉积均匀的磁控管及其设计方法在审

专利信息
申请号: 202111438395.X 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114218625A 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 唐云俊;王昱翔 申请(专利权)人: 浙江艾微普科技有限公司
主分类号: G06F30/10 分类号: G06F30/10;G06F30/20;G06F17/18;C23C14/35
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 王大国
地址: 314400 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种沉积均匀的磁控管,包括外磁极磁铁和内磁极磁铁,且外磁极磁铁和内磁极磁铁磁极性相反,外磁极磁铁和内磁极磁铁构成闭合环,此闭合环形成等离子体轨道,所述等离子体轨道中心线的长度L分布随靶材中心距离(x)的变化为L=axn,其中a是任意常数,n是变量,所述n值由公式拟合计算获得,本发明能够保证沉积薄膜厚度的均匀性,同时提高靶材腐蚀率并使等离子体环中心线较短。
搜索关键词: 一种 沉积 均匀 磁控管 及其 设计 方法
【主权项】:
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