[发明专利]MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202111438404.5 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114141867A | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘秀勇;陈正嵘;王光华 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET，包括：衬底、第一屏蔽栅、第一栅氧化层、控制栅、第二屏蔽栅、第二栅氧化层、基极区和源区，其中，所述衬底上形成有具有U型沟槽的外延层，所述第一屏蔽栅位于U型沟槽的底部，所述控制栅位于所述第一屏蔽栅上且覆盖所述U型沟槽的上半部分侧壁；所述第二屏蔽栅填充剩余U型沟槽，其中，所述源区与所述第一屏蔽栅电性互连。本发明还提供一种MOSFET的制造方法。本申请通过将所述第一屏蔽栅与所述源区电性互连，分散位移电流，减小第一屏蔽栅和源区之间的接触电阻，提高接触电阻均匀性，提高了沿第一屏蔽栅分布的感应电势的均匀性，从而避免了非均匀电位分布引起的固定雪崩点导致电流集中的情况。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111438404.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
