[发明专利]一种基于微纳波导倏逝场耦合的单片式光学MEMS加速度计有效

专利信息
申请号: 202111444321.7 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114137254B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 辛晨光;张钟瑶;李孟委;金丽;范长江 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01P15/093 分类号: G01P15/093
代理公司: 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 代理人: 连慧敏
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属于微机电系统和微惯性器件技术领域,具体涉及一种基于微纳波导倏逝场耦合的单片式光学MEMS加速度计,包括输入硅纳米线、弯曲硅纳米线、输出硅纳米线、质量块、悬臂梁、支撑结构,所述弯曲硅纳米线固定在质量块上,所述弯曲硅纳米线的一端与输入硅纳米线耦合,所述弯曲硅纳米线的另一端与输出硅纳米线耦合,所述质量块通过悬臂梁与支撑结构连接,所述输入硅纳米线、弯曲硅纳米线均固定在支撑结构上。本发明基于光学原理,通过检测波导中光功率变化实现加速度检测,具有免疫电磁干扰和外界环境光干扰的特点;根据微纳波导倏逝场耦合原理,极其微小的位移将会引起耦合效率的剧烈变化,具有很高的测量灵敏度。
搜索关键词: 一种 基于 波导 倏逝场 耦合 单片 光学 mems 加速度计
【主权项】:
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