[发明专利]一种CZ法制备硅晶体的方法在审
| 申请号： | 202111446127.2 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115896925A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 侯明超;周宏邦;贾海洋;王淼;张强;孔凯斌;刘伟;娄中士;王立刚 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;C30B30/04 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CZ法制备硅晶体的方法，在单晶拉制过程中，控制勾形磁场的零磁面与石英坩埚内硅溶液的自由液面之间的距离、勾形磁场的强度和石英坩埚的转速，以控制单晶晶体中的氧含量；其中，勾形磁场的零磁面设于自由液面以下，且勾形磁场的零磁面与自由液面之间的距离为40‑120mm；勾形磁场的强度为300‑1200Gs；石英坩埚的转速为3‑10rpm。本发明的有益效果是抑制石英坩埚内壁附近的硅溶液的对流，减少石英坩埚内壁附近硅溶液与单晶硅棒下方的硅溶液的对流，将石英坩埚内壁产生的氧含量控制在石英坩埚内壁附近，降低氧含量的释放，控制单晶晶体中的氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cz 法制 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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