[发明专利]适用于大电流条件工作的发光二极管外延结构及制备方法有效
| 申请号： | 202111446394.X | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114141918B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适用于大电流条件工作的发光二极管外延结构及制备方法。所述发光二极管外延结构包括沿指定方向依次设置的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层、AlInN插入层和p型GaN层。本发明中提供的发光二极管外延结构，在大电流条件下工作时的光电性能稳定，可改善效率骤降的问题，且漏电小、抗静电性能好、制备工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 电流 条件 工作 发光二极管 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏第三代半导体研究院有限公司，未经江苏第三代半导体研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111446394.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
