[发明专利]一种激光退火系统及激光退火方法在审
| 申请号： | 202111449095.1 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN116207000A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 赵勇杰;杨晖;金贤胜;刘尧 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了激光退火系统及激光退火方法，属于量子信息领域。针对执行量子芯片退火时，激光能量不稳定的问题，本申请提供的激光退火系统设置调制器调制发射激光的能量，然后利用分光器对能量调制后的激光束进行分光获得第一激光和第二激光，并且设置第一传感器采集第一激光的探测参数，再利用反馈控制器根据探测参数控制调制器调制所述发射激光以确保第二激光的能量为目标值。与本申请提供的激光退火系统相应的，本申请提供的激光退火方法通过先调制发射激光，然后对能量调制后的激光束进行分光获得第一激光和第二激光，并且采集第一激光的探测参数，再根据探测参数控制调制器调制所述发射激光以确保第二激光的能量为目标值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 退火 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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