[发明专利]一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法有效
| 申请号： | 202111449107.0 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114068098B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李珍宝;刘国庆;姚凯 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;C04B35/453;C04B35/626 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 马小燕 |
| 地址： | 710016 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显著提高Bi2212超导材料临界电流密度的方法，该方法通过人工制备获得14：24的AEC相，然后加入到Bi2212粉体中混匀得到混合粉末，采用混合粉末制备得到Bi2212超导材料。本发明将人工制备的14：24的AEC相加入到Bi2212粉体中制备Bi2212超导材料，有效控制了14：24的AEC相在Bi2212粉体中的加入量，从而在Bi2212粉体中定向并定量控制AEC相的含量，促进了Bi2212晶粒生长，使得Bi2212超导材料的临界电流密度显著提高，提高了Bi2212超导材料载流性能，操作简单，成本低，可控性和可操作性强，有利于在Bi2212超导材料中的快速应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显著 提高 bi2212 超导 材料 临界 电流密度 方法 | ||
【主权项】：
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