[发明专利]利用等离子球磨裂解合成高阶硅烷的方法有效
| 申请号： | 202111452067.5 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114105148B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈涵斌;俞冬雷;汪晶 | 申请（专利权）人： | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 李寰 |
| 地址： | 239500 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用等离子球磨对硅粉及催化剂粉体进行机械化破碎及局部熔爆、碎裂及表面活化，同时通入甲硅烷至球磨机腔室内发生反应连续合成高阶硅烷的方法，甲硅烷通入等离子球磨机腔室内的等离子区域后发生裂解并产生游离的自由基；当自由基与活化后的硅粉表面接触时，有利于促进高阶硅烷的生成。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷一次收率较高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子 裂解 合成 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
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