[发明专利]反应室及刻蚀装置在审
| 申请号： | 202111452284.4 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114171363A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 刘浩;吴惧;阮文中;张兴华 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种反应室及刻蚀装置。反应室包括电极组件、缓冲板和第一调节件，其中，电极组件包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极与第二电极之间形成有反应腔，缓冲板与第二电极的边缘连接，缓冲板上开设有第一排气口，第一调节件与缓冲板活动连接，第一调节件用于调节第一排气口的面积。本申请通过在反应室上设置第一调节件，使第一调节件与缓冲板活动连接，并对缓冲板上第一排气口的面积进行调节，能够实现对从第一排气口流出的刻蚀气体的流通量进行调控，从而实现对反应室内刻蚀气体的分布的调控，提高反应室内的刻蚀均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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