[发明专利]一种去嵌方法、装置、设备和介质在审
| 申请号： | 202111452414.4 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114152829A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 昌慧婷 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;黄健 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种去嵌方法、装置、设备和介质，包括：测量衬底上的被测结构的散射参数，被测结构包括器件、两个探针衬垫以及连接器件和探针衬垫的第一连线结构；获取预先测量的衬底上的开路去嵌结构以及直通去嵌结构的散射参数，开路去嵌结构包括两个探针衬垫，直通去嵌结构包括两个探针衬垫以及连接两个探针衬垫中的信号衬垫的第二连线结构；仿真器件的参考金属线并获取参考金属线的散射参数，参考金属线的长度为器件的长度的一半；根据被测结构、开路去嵌结构、直通去嵌结构以及参考金属线的散射参数获取器件的散射参数。仅需一个公共的开路去嵌结构和一个公共的直通去嵌结构便可以获取不同器件的散射参数，减小版图面积，减少流片的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111452414.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
