[发明专利]一种晶体管及其制作方法及电子设备在审
| 申请号： | 202111456448.0 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114171587A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 胡诗犇;龚政;庞超;李育智;王建太;郭婵;邹胜晗;潘章旭;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 宋南 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种晶体管及其制作方法及电子设备，涉及半导体领域。该晶体管包括芯片本体与源漏电极，源漏电极设置于芯片本体的表层，其中，源漏电极包括：富铟层、位于富铟层一侧的氧化铝层、位于氧化铝层一侧的铝层以及位于铝层一侧的铜层。在本申请中氧化铝层可以有效地阻止铜原子向有源层扩散，同时，富铟层可以降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，从而提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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