[发明专利]单层多晶嵌入式非挥发存储单元、存储阵列及其工作方法有效
| 申请号： | 202111462132.2 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN113870927B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 高瑞彬;许军;李真 | 申请（专利权）人： | 苏州贝克微电子有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26;H01L27/11521;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单层多晶嵌入式非挥发存储单元、存储阵列及其工作方法，存储单元包括：第一控制管、第一隧穿管、第一反相器、第二控制管、第二隧穿管、第二反相器、双稳态单元和读出结构，第一反相器包括类型相反的第一子晶体管和第二子晶体管，第二反相器包括类型相反的第三子晶体管和第四子晶体管。所述存储单元的可靠性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 多晶 嵌入式 挥发 存储 单元 阵列 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
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