[发明专利]一种邻层环栅纳米线/片CMOS结构在审
| 申请号： | 202111462244.8 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN114628384A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈超 | 申请（专利权）人： | 常熟西军电技术转移有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海远诺知识产权代理事务所(普通合伙) 31397 | 代理人： | 尹晓雪 |
| 地址： | 215505 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种层环栅纳米线/片CMOS结构，包括：衬底；衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS；nMOS包括第一纳米体结构和环绕第一纳米体结构的第一栅电极，pMOS包括第二纳米体结构和环绕第二纳米体结构的第二栅电极；第一纳米体结构和第二纳米体结构设置于相邻的两层且由相同导电类型的半导体材料形成；第一栅电极与第二栅电极由相同功函数的导电材料形成；衬底材料为体Si或SOI；第一纳米体结构的材料为Si，第二纳米体结构的材料为SiGe。本发明nMOS和pMOS的纳米体由相同导电类型的半导体材料形成，栅电极由相同功函数的导电材料形成，因此可以同时制备，有利于提高CMOS结构及其集成电路的性能与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 邻层环栅 纳米 cmos 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
