[发明专利]垂直腔面射型激光及其形成方法在审
| 申请号： | 202111467206.1 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN115133400A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 杜明昌;赖俊村;简琬庭 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周永君;董骁毅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种垂直腔面射型激光及其形成方法，所述激光包括：主动区、内沟槽、外沟槽、第一注入区域。主动区包括第一镜、主动区域、第二镜、刻蚀停止层。第一镜形成于基板之上。主动区域形成于第一镜之上。第二镜形成于主动区域之上。具有孔隙的刻蚀停止层形成于主动区域及第二镜之间。内沟槽在上视图中围绕主动区。外沟槽形成于内沟槽旁边，以及第一注入区域形成于内沟槽之下。本申请能够通过形成额外的内沟槽于刻蚀停止层之上，可改善内沟槽深度的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 腔面射型 激光 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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