[发明专利]一种多独立栅场效应管、制备方法及集成电路在审
| 申请号： | 202111469316.1 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114497227A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陆芃;李博;韩郑生;朱慧平;杨灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 曹洪进 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多独立栅场效应管及其制备方法，其中，所述多独立栅场效应管包括：设置在绝缘衬底上的源极，漏极，沟道区和栅极结构；所述沟道区连接所述源极和所述漏极；所述栅极结构包括层叠设置的栅介质层和栅电极层；所述栅电极层包括两个以上，互不相交的碳纳米管栅电极。本申请提供的多独立栅场效应管显著提高了微缩能力或集成度能力，为超大规模集成电路中的高密度器件集成提供了一种灵活高效的新型场效应管器件设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 独立 场效应 制备 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
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