[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 202111469857.4 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114628281A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 永松辰也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够向贮存在处理槽中的处理液的内部稳定地释放气体的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括处理槽、第1气体喷嘴组、第2气体喷嘴组和控制部。处理槽将排列的多个基片浸渍在处理液中而对其进行处理。第1气体喷嘴组在处理槽的内部配置在比多个基片靠下方的位置，向贮存在处理槽中的处理液释放气体。第2气体喷嘴组靠近第1气体喷嘴组地配置，向贮存在处理槽中的处理液释放气体。控制部控制各部。控制部在多个基片被浸渍在处理液中而被处理时，从第1气体喷嘴组和第2气体喷嘴组中的一个气体喷嘴组向处理液释放气体。控制部在检测出规定的切换条件的情况下，从由一个气体喷嘴组释放气体切换为由另一个气体喷嘴组释放气体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
