[发明专利]关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 202111471986.7 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114267603A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 刘青青;米琳;宁威 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种关于重复矩阵型图案缺陷的检测方法，其包括以下步骤：步骤一，首先对晶圆进行预扫描，确认重复矩阵图案密集区的走向；步骤二，改变扫描方向，保持扫描方向与重复矩阵图案走向平行，保证收集更多的散射光，使缺陷在偏振光下能够产生并增强信号强化缺陷信号；步骤三，运用傅立叶滤光器并通过相干衍射的原理，减少背景噪扰，更大程度的弱化背景从而增强信号。本发明对于重复矩阵型图案中小尺寸的缺陷具有较强的抓获能力，可以提高缺陷的信噪比，在当站检测出该种类型的缺陷进行工艺优化，降低低良风险。 | ||
| 搜索关键词： | 关于 重复 矩阵 图案 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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