[发明专利]一种薄膜制造方法在审
| 申请号： | 202111472034.7 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114300338A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 邢孟江;杨晓东;代传相;邢孟道;刘永红 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 王婷婷 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜制备方法，包括：构建至少一层支撑层和设于所述支撑层上的至少一层牺牲层，牺牲层被配置为可通过外界条件改变而改性；在所述牺牲层上培育薄膜并使其生长；改变外界条件使所述牺牲层改性并得到单独薄膜。通过构建至少一层支撑层和至少一层牺牲层，并通过改变外界条件使得牺牲层失效，使得薄膜和支撑层脱离，得到独立的薄膜，此结构对于薄膜分离、转移具有很好的应用价值，能够为集成电路、芯片制造中难以剥离的薄膜提供了一种简单便捷的薄膜分离方式。可以广泛应用于集成电路、芯片制造以及薄膜产品制造的相关工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
