[发明专利]氮化铜基印刷电极及其制造方法在审
| 申请号： | 202111472035.1 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114300175A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 邢孟江;杨晓东;代传相;邢孟道;刘永红 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H01B1/06 | 分类号： | H01B1/06;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 王婷婷 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铜基印刷电极，包括：25‑75%的致密铜、20‑70%的氮化铜以及5‑10%的辅助材料，其中，所述致密铜被配置为占电极横截面截面积的30%‑80%。通过上述方案得到的氮化铜基印刷电极具有可印刷、导电率高、性能稳定、成本低、方便大规模制造等特点，可用于高性能集成芯片制造。本发明还公开一种氮化铜基印刷电极制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 印刷 电极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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