[发明专利]一种BJT半导体器件在审
| 申请号： | 202111472250.1 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114267726A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 朱丽霞 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管)半导体器件。本申请提供一种BJT半导体器件，所述BJT半导体器件包括半导体基底，所述半导体基底包括：基区，所述基区上形成多晶硅场效应结构；发射区，所述发射极形成于所述多晶硅场效应结构周围的基区中；集电区，所述集电极包围在所述基区外；其中，所述多晶硅场效应结构与所述发射区电性连通。电性连通的所述多晶硅场效应结构与所述发射极，使得位于所述多晶硅场效应结构下方的基区部分形成电位差，所述电位差能够吸引所述基区中的多子杂质，降低所述基区中的寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 bjt 半导体器件 | ||
【主权项】：
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