[发明专利]一种双向内嵌MOS管的静电浪涌防护集成电路及方法有效
| 申请号： | 202111472592.3 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114069583B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 梁海莲;马琴玲 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双向内嵌MOS管的静电浪涌防护集成电路及方法，属于集成电路的静电放电及浪涌防护领域。所述集成电路包括：稳压钳位电路、NMOS开关控制电路和主电流泄放电路。本发明利用两个稳压二极管构成稳压钳位电路，为集成电路内部NMOS开关控制电路提供持续稳定的电压，避免了使用外部电源提供控制电压造成面积利用率低的问题；同时，利用主电流泄放电路提供大电流泄放路径，增强电路的鲁棒性。本发明的集成电路具有面积效率高、开启速度快、静电或浪涌鲁棒性强及双向静电或浪涌防护等优点，可应用于集成电路双向数据收发端口和通信端口，也可用于工作电压在3至6V的正反向供电的电子设备电源端口或插拔接口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 mos 静电 浪涌 防护 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
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