[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 202111475164.6 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114628324A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 冈村卓 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02;H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 杨俊波;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，能够简易地去除残留在晶片的外周部的增强部。晶片的加工方法对晶片进行加工，该晶片在正面侧具有在由以相互交叉的方式呈格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有器件的器件区域，该晶片在背面侧具有形成于与器件区域对应的区域的凹部，该晶片在外周部具有围绕器件区域和凹部的环状的增强部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削工序，将器件区域分割成多个器件芯片，并且在增强部形成切削槽；分割工序，以切削槽作为起点而将增强部分割；以及去除工序，从位于晶片的外侧的规定的喷射位置朝向增强部喷射流体，由此使分割后的增强部朝向喷射位置的相反侧飞散而去除。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
