[发明专利]一种快速的老化仿真分析方法在审
| 申请号： | 202111480765.6 | 申请日： | 2021-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN114021392A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 郭超;雍晓;陈彬;江荣贵;石华俊 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种快速的老化仿真分析方法，包括以下步骤：基于MOSFET建立宏模型；建立宏模型的SPICE网表，设置表征MOSFET特征参数受BTI效应和/或HCI效应的时间积累效果的节点参数；通过SPICE仿真得到时序电路随着老化时间推移的特征变化。该发明在不需要提供包含老化效应的SPICE模型的情况下，基于MOSFET建立宏模型，用电容的电荷积累效应，模拟MOSFET特征参数在BTI效应和HCI效应的影响下，随老化时间而退化的趋势，从而在单次仿真中观察到时序电路随着老化时间推移的特征变化，为包含老化分析的时序验证提供依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 老化 仿真 分析 方法 | ||
【主权项】：
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