[发明专利]一种具有低寄生参数的功率半导体模块以及封装方法在审

专利信息
申请号: 202111482201.6 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114242713A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 唐久阳;刘盼;雷光寅 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/04;H01L23/14;H01L23/24;H01L21/52;H01L21/54
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 王洁平
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种具有低寄生参数的功率半导体模块以及封装方法。本发明的功率模块包括两个基板,其以顶盖作为第二基板,第二基板的内部贴装二极管或电阻元件;本发明的功率模块通过在传统封装的固晶键合工艺步骤之前将顶盖作为第二基板对需要固定的元件位置标定进而封装获得。本发明采用将二极管或者电阻元件等非主要发热元件固定于顶盖的设计,这一结构设计上的改进有助于减小功率模块高频工作下的寄生参数和其他电学损耗。同时本发明在现有的结构上无需添加新材料新结构,不需要引入新的工艺方案,在已有的制造流程下即可实现,便于推广应用。
搜索关键词: 一种 具有 寄生 参数 功率 半导体 模块 以及 封装 方法
【主权项】:
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