[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202111482363.X | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN113889537B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;陈燕宁;王于波;付振;邵瑾;曹艳荣;刘芳;钟明琛;张宏涛;张龙涛;任晨;王敏;马毛旦;张鹏 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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