[发明专利]一种用于控制半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202111484502.2 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114400250A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘福海;王欣;孙超;许文山;朱正鹏;龚润;梁轲 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李路遥;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种用于控制半导体器件的方法，所述方法包括形成半导体器件，所述半导体器件包括位于衬底上的栅极、分别位于所述栅极两侧的所述衬底中的源极和漏极，以及电浮动的且位于所述源极和所述漏极之间的沟道区；其中，所述源极和所述漏极中的至少一个具有重掺杂区以及位于所述重掺杂区和所述栅极之间的轻掺杂区；在所述半导体器件处于关断状态的情况下，对所述源极施加控制电压，以在源极产生空穴陷阱来提高所述轻掺杂区的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 控制 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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