[发明专利]一种限域型氢气传感器制备方法有效

专利信息
申请号: 202111484534.2 申请日: 2021-12-07
公开(公告)号: CN114166902B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 胡庆敏;徐甲强;张景韬 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 上海海贝律师事务所 31301 代理人: 范海燕
地址: 200436*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及气体传感器技术领域,具体地说是一种限域型氢气传感器制备方法,在CNC上沉积20‑1000个循环的ALD SnO2膜,在CNC上沉积1‑500个循环的NiO,沉积40个循环的NiO,沉积SnO2,制备SnO2外表面限域和SnO2纳米管内表面限域NiO样品,在CNC上沉积NiO,然后沉积ALD‑SnO2,再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO,在400‑1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板,去除模板接口获得材料,本发明同现有技术相比,NiO和SnO2的协同效应导致了I‑NiSnNCs的漏斗效应,实现了对氢的高传感性能。
搜索关键词: 一种 限域型 氢气 传感器 制备 方法
【主权项】:
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