[发明专利]对准标记的制作方法及半导体器件的制作方法在审
| 申请号： | 202111484699.X | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114280902A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈帮;周云鹏;郭万里 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对准标记的制作方法及半导体器件的制作方法，提供相键合的上层晶圆和下层晶圆，上层晶圆靠近下层晶圆的一面和/或下层晶圆靠近上层晶圆的一面形成有第一光刻标识图形；形成第二光刻标识图形于上层晶圆的远离下层晶圆的一面；采用一量测机台识别第一光刻标识图形，以获得第二光刻标识图形和第一光刻标识图形之间的第一对准偏差；形成第三光刻标识图形于上层晶圆的远离下层晶圆的一面；其中，以第二光刻标识图形进行光刻工艺的对准，且将第一对准偏差补偿至光刻工艺中。本发明的技术方案使得上层晶圆的厚度不受限制的同时，还能提高工艺精度。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标记 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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