[发明专利]光电探测器及其制备方法、射线探测装置在审
申请号: | 202111485332.X | 申请日: | 2021-12-07 |
公开(公告)号: | CN114284305A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 刘广元;祁春超 | 申请(专利权)人: | 杭州海康威视数字技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 310051 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例提供一种光电探测器及其制备方法、射线探测装置。涉及光电转换技术领域。主要用于提升光电探测器的光电转换量子效率,以及使用可靠性。该光电探测器包括:半导体衬底、抗反射膜层、介质层、第一电极和第二电极、钝化层;半导体衬底具有相对的第一面和第二面,第一面形成有第一掺杂区和第二掺杂区;抗反射膜层形成在第一面上,抗反射膜层的与第一掺杂区相对的至少部分区域形成光敏区;介质层形成在抗反射膜层的远离半导体衬底的一侧;第一电极和第二电极均形成在介质层的远离抗反射膜层的一侧;第一导电通道和第二导电通道均贯穿介质层;介质层的表面上形成有钝化层,钝化层形成有镂空区,且镂空区贯通至光敏区,以使得光敏区露出。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测器 及其 制备 方法 射线 探测 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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