[发明专利]一种N型掺杂硅单晶的制备方法以及所制备的掺杂硅单晶在审
| 申请号： | 202111487642.5 | 申请日： | 2021-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN114351243A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 方峰;李英涛;王万华;王凯磊;钟耕杭 | 申请（专利权）人： | 山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06;C30B15/14 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 硅单晶 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
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