[发明专利]一种二极管封装结构及其封装工艺在审

专利信息
申请号: 202111488501.5 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114038823A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 苏荻楠 申请(专利权)人: 江苏固得沃克微电子科技有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 深圳市宾亚知识产权代理有限公司 44459 代理人: 李星
地址: 224000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种二极管封装结构及其封装工艺。所述二极管封装结构及其封装工艺包括:塑封体;第一料片,所述第一料片设置于所述塑封体的一侧;第二料片,所述第二料片设置于所述塑封体的一侧;跳线,所述跳线设置于所述第一料片和所述第二料片之间;芯片,所述芯片设置于所述第一料片与跳线之间。本发明提供的二极管封装结构及其封装工艺通过采用Clip工艺为单片矩阵式料片结构,芯片通过Clip搭接在第一料片另一引脚上,形成整体,Clip自身重力自然贴合在芯片和第一料片上,焊接前后的应力影响很小,并且由于铜材和焊锡使用量大,不但可以更加方便二极管的封装,而且极大的改善了矩阵式料片二极管封装前后应力变化大的弊端。
搜索关键词: 一种 二极管 封装 结构 及其 工艺
【主权项】:
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